PSMN4R2-40VSHX
制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: MOSFET - 阵列 40V 98A（Ta） 85W（Ta） 表面贴装型 LFPAK56D
物料参数
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | - |
| 漏源电压（Vdss）: | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 98A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 37nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2590pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 85W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SOT-1205，8-LFPAK56 |
| 供应商器件封装: | LFPAK56D |